Référence fabricant : | AOT11S65L | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | Etat du stock : | 20121 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 650V 11A TO220 | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | AOT11S65L(1).pdfAOT11S65L(2).pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | AOT11S65L |
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Fabricant | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
La description | MOSFET N-CH 650V 11A TO220 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 20121 pcs |
Livret des spécifications | AOT11S65L(1).pdfAOT11S65L(2).pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-220 |
Séries | aMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399 mOhm @ 5.5A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 198W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-220-3 |
Autres noms | 785-1510-5 AOT11S65L-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 26 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 646pF @ 100V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 650V |
Description détaillée | N-Channel 650V 11A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-220 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) |
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
MOSFET N-CH
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
MOSFET N-CH 700V 11A TO220
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
MOSFET N-CH 400V 11A TO220