Référence fabricant : | AS4C16M16SA-6TIN |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | Alliance Memory, Inc. |
Etat du stock : | 855 pcs Stock |
La description : | IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | AS4C16M16SA-6TIN.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | AS4C16M16SA-6TIN |
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Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
La description | IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 855 pcs |
Livret des spécifications | AS4C16M16SA-6TIN.pdf |
Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
Tension - Alimentation | 3 V ~ 3.6 V |
La technologie | SDRAM |
Package composant fournisseur | 54-TSOP II |
Séries | - |
Emballage | Tray |
Package / Boîte | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Autres noms | 1450-1253 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
Type de mémoire | Volatile |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Interface mémoire | Parallel |
Format de mémoire | DRAM |
Délai de livraison standard du fabricant | 8 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Temps d'accès | 5ns |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA