Référence fabricant : | NSBC114TDP6T5G |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Etat du stock : | 203210 pcs Stock |
La description : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963 |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | NSBC114TDP6T5G.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | NSBC114TDP6T5G |
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Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description | TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 203210 pcs |
Livret des spécifications | NSBC114TDP6T5G.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur | SOT-963 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Puissance - Max | 339mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SOT-963 |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 8 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | - |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Numéro de pièce de base | NSBC1* |
TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563