Référence fabricant : | IRLU110ATU | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Etat du stock : | 358 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 100V 4.7A I-PAK | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | IRLU110ATU.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | IRLU110ATU |
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Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description | MOSFET N-CH 100V 4.7A I-PAK |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 358 pcs |
Livret des spécifications | IRLU110ATU.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | I-PAK |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440 mOhm @ 2.35A, 5V |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 22W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V |
Tension drain-source (Vdss) | 100V |
Description détaillée | N-Channel 100V 4.7A (Tc) 2.5W (Ta), 22W (Tc) Through Hole I-PAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4.7A (Tc) |
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