Référence fabricant : | HGT1S20N35G3VLS | État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Etat du stock : | 5384 pcs Stock |
La description : | IGBT 380V 20A 150W TO263AB | Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | HGT1S20N35G3VLS.pdf | Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | HGT1S20N35G3VLS |
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Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description | IGBT 380V 20A 150W TO263AB |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5384 pcs |
Livret des spécifications | HGT1S20N35G3VLS.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 375V |
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 5V, 20A |
Condition de test | 300V, 10A, 25 Ohm, 5V |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | -/15µs |
énergie de commutation | - |
Package composant fournisseur | TO-263AB |
Séries | - |
Puissance - Max | 150W |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Type d'entrée | Logic |
type de IGBT | - |
gate charge | 28.7nC |
Description détaillée | IGBT 375V 20A 150W Surface Mount TO-263AB |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 20A |
IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
IGBT 600V 70A 290W TO263AB
IGBT 600V 17A 70W D2PAK
IGBT 600V 54A 167W D2PAK
IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
IGBT 600V 54A 167W TO263AB
IGBT 600V 45A 164W TO263AB
IGBT 390V 18A 100W TO263AB
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
IGBT 390V 18A 100W TO262AA