Modèle de produit:FDN339AN
- Rendez-vous amoureux: 2024/03/26
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Référence fabricant : | FDN337N |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Etat du stock : | 55470 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | FDN337N(1).pdfFDN337N(2).pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | FDN337N |
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Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description | MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 55470 pcs |
Livret des spécifications | FDN337N(1).pdfFDN337N(2).pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | SuperSOT-3 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms | FDN337NTR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | N-Channel 30V 2.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.2A (Ta) |
MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3
INTEGRATED CIRCUIT
MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3
MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3
MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3
MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3
MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3
MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3
MOSFET N-CH
MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3