Référence fabricant : | FCU7N60TU |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Etat du stock : | 6024 pcs Stock |
La description : | MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | FCU7N60TU.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | FCU7N60TU |
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Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description | MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 6024 pcs |
Livret des spécifications | FCU7N60TU.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | I-PAK |
Séries | SuperFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 83W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 600V |
Description détaillée | N-Channel 600V 7A (Tc) 83W (Tc) Through Hole I-PAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 7A (Tc) |
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